半导体功率元件正朝着大电流、高电压、快通断、功耗小、易保护、模块化方向发展直流高压发生器，随着半导体元件制造工艺的完善和制造技术的提高。中试控股集团现已出现了双极性晶体管GP功率场效应管MOSFET功率绝缘栅控双极性晶体管IGBTIGBT晶体管是集GP与MOSFET二者优点于一体的复合器件，既有MOSFET输入阻抗高、速度快、开关损耗小、驱动电路简单、要求驱动功率小、极限工作温度高、易驱动的特点稳定运行直流高压发生器的方法，又具有功率晶体管GP通态电压低、耐压高和电流容量大的优点，为电压控制通断的自关断器件，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于数十kHz频率范围内，功率元件IGBT正日益广泛地应用于体积小、噪音低、性能高的变频电源及大功率的交流伺服电机的调速系统中直流高压发生器，较高频率的大、应用中占据了主导地位，并已开始在上述领域中取代功率双极性晶体管GP和功率场效应管MOSFET中。与GP和MOSFET一样，IGBT应用的关键问题是驱动电路和保护电路，本文根据在实际工作中对IGBT应用讨论有关IGBT驱动及保护问题。

电力电子行业占据相当大的比重。目前介绍开关电源电磁兼容的文章很多，小功率反激电源作为市场上最为成熟的电源之一。不过考虑到市场化，小功率反激电源只用一级EMI滤波，无散热片，还有很重要的一点，要考虑可生产性。这与单纯的电磁兼容研究有很大区别。

一个是由封装上表面传到空气中，集成电路的热阻和晶体管的热阻大至相同、集成电路(IC散热主要有两个方向。另一个则是由IC向下传到PCB板上，再由板传到空气中。当IC以自然对流方式传热时，向上传的部分很小直流高压发生器，而向下传到板子则占了大部分，以导线脚或是以球连接于板上的方式，其详细的散热模式不尽相同。但这会增加制造成本和复杂性。封装热阻的改善手段主要可透过结构设计、材料性质改变以及外加散热增进装置三种方式、其中影响较大的加装散热器。

直流高压发生器贴片电感具有以下特点：

1、平底表面适合表面贴装。

2、异的端面强度良好之焊锡性。低阻抗之特点。

3、具有较高Q值。低直电阻直流高压发生器在低转速下运行时，

4、低漏磁。耐大电流之特点。便于自动化装配5、可提供编带包装。普通功率电感和大电流电感的区别：另外它还有以下特点大电流电感具备所有SMD功率电感的特点。

直流高压发生器电感线圈使用粗痛线和扁平线绕制具有以下特点：

1、耐大电流。可耐大电流，较高可承受80A 电流具有很好的密封性和高稳定性。

2、高稳定性、大电流电感采用全封闭磁屏蔽结构。单片机直流高压发生器。

3、适用范围广、大电流电感具有超强的耐侯性、可以用于电脑主板、显卡等这些长时间工作的设备上。滤波电路等,而普通的功率电感只能用做DC-DC模块、尽管所起到作用是一样的但是大电流电感所承担的责任比普通功率电感要大的多。中试控股集团具有超强的稳定性,目前许多电脑主板厂家都在开发使用大电流电感组列作成的滤波电路。