局部放电检测仪检测缺陷部位和缺陷类型判断的依据是什么？-中试控股

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局部放电检测仪检测缺陷部位和缺陷类型判断的依据是什么？

时间：2021-03-10

接下来中试控股告诉你局部放电检测仪检测缺陷部位和缺陷类型判断的依据是什么：

一、局部放电检测仪（也称为局部放电测试仪）缺陷部位判断依据

（1）多传感器定位

利用时延方法实现空间定位，在疑似故障部位利用多个传感器同时测量，并以信号首先到达的传感器作为触发信号源，就可以得到超声波从放电源至各个传感器的传播时间。再根据超声波在设备媒质中的传播速度和方向，就可以确定放电源的空间位置。

（2）单传感器定位

移动传感器，测试气室不同的部位，找到信号的大点，对应的位置即为缺陷点，通过两种方法判断缺陷在罐体或中心导体上。

方法一，通过调整测量频带的方法。将带通滤波器测量频率从100kHz减小到50kHz。如果信号幅值明显减小，则缺陷位置应在壳体上。信号水平基本不变，则缺陷位置应在中心导体上。

方法二，如果信号水平的大值在罐体表面周线方向的较大范围出现，则缺陷位置应在中心导体上。如果大值在一个特定点出现，则缺陷位置应在壳体上。

二、局部放电检测仪缺陷类型判断依据

（1）自由金属微粒

对于运行中的设备，微粒信号的幅值：背景噪声。

（2）电晕放电

毛刺一般在壳体上，但导体上的毛刺危害更大，只要信号高于背景值，都是有害的，应根据工况酌情处理，在耐压过程中发现毛刺放电现象，即便低于标准值，也应进行处理。

（3）悬浮电位

电位悬浮一般发生在断路器气室的屏蔽松动，PT/CT气室绝缘支撑松动或偏移，母线气室绝缘支撑松动或偏移，气室连接部位接插件偏离或螺栓松动等，设备内部只要形成了电位悬浮，就是危险的，应加强监测，有条件就应及时处理。对于126kV GIS，如果100Hz信号幅值远大于50Hz信号幅值，且Vpeak＞10mV，应缩短检测周期并密切监测其增长量。如果Vpeak＞20mV，应停电处理；对于363kV和550kV及以上设备，应提高标准。