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如何测变压器绕组的tgδ？
时间：2020-08-28
测量变压器绕组的介质损耗因数tgδ主要是反映变压器绝缘中的纸绝缘的tgδ，而绝缘电阻则时纸和油两种绝缘的串联值，故用tgδ来反映变压器整体绝缘状况比绝缘电阻有效。它是反映变压器绝缘受潮的主要特征。
一、 测量方法
（1）根据单位具体条件可选用中试林电桥或试验器，用中试电桥测试时多采用反接线方式。将被测绕组短接后接电桥的“CX”,对非被测绕组短接后接地。用试验器时将被测绕组短接后，接试验器电缆的总线，非被测绕组短接后，接地或接电缆头的屏蔽环。这两种方法的试验次数和部位有所不同，详见表4-41及表4-42.
表4-41 中试测tgδ次数及部位
|
试验序号 |
双绕组变压器 |
三绕组变压器 |
||||
|
加压 |
接地 |
部位 |
加压 |
接地 |
部位 |
|
|
1 |
高压 |
低压+铁芯 |
C1+C13 |
高压 |
中、低压+铁芯 |
C1+C12+C13 |
|
2 |
低压 |
高压+铁芯 |
C3+ C13 |
中压 |
高低压+铁芯 |
C2+C12+C23 |
|
3 |
高压+低压 |
铁芯 |
C1+ C3 |
低压 |
高中压+铁芯 |
C3+C13+C23 |
|
4 |
|
|
|
高压+低压 |
中压 |
C1+C12+C23+C3 |
|
5 |
|
|
|
高压+中压 |
低压 |
C1+C2+C23+C13 |
|
6 |
|
|
|
低压+中压 |
高压 |
C2+C3+C13+C12 |
|
7 |
|
|
|
高压+低压+中压 |
铁芯 |
C1+C2+C3 |
表中C1指高压对地电容，C2指中压对地电容，C3指低压对地电容，C12指高压对中压电容，C13指高压对低压电容，C23指中压对低压电容。
表4-42 试验器测tgδ次数和部位
|
试验序号 |
双绕组变压器 |
三绕组变压器 |
||||||
|
加压 |
接地 |
屏蔽 |
部位 |
加压 |
接地 |
屏蔽 |
部位 |
|
|
1 |
高压 |
低压 |
|
C1+C13 |
高压 |
低压 |
中压 |
C1+C13 |
|
2 |
高压 |
|
低压 |
C1 |
高压 |
— |
中、低压 |
C1 |
|
3 |
低压 |
高压 |
|
C1+C13 |
中压 |
高压 |
低压 |
C2+C12 |
|
4 |
低压 |
|
高压 |
C3 |
中压 |
— |
高、低压 |
C2 |
|
5 |
|
|
|
|
低压 |
中压 |
高压 |
C3+ C23 |
|
6 |
|
|
|
|
低压 |
— |
高、中压 |
C3 |
|
7 |
|
|
|
|
高、中、低压 |
— |
— |
C1+C2+C3 |
（2）中试电桥的读数tgδ和电容C，而试验器的读数为“mVA”和“mW”数，tgδ即为mW/mVA；C=mVA/V2ω=0.51mVA(PF)
（3）测量tgδ用中试电桥和试验器时，都要注意周围的电场和磁场的干扰，可用倒相法或移相法进行消除。我国已有新型的介质损耗测试仪生产，如HT系列抗干扰介质损耗测试仪，直流电桥等，引入了抗干扰系统，提高了测试准确度。
（4）不同温度下的测得值应换算到同一温度，进行比较。
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